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ZC2675B泄漏電流測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)

泄漏電流包括兩部分，一部分是通過絕緣電阻的傳導(dǎo)電流I1；另一部分是通過分布電容的位移電流I2，后者容抗為XC=1/2pfc與電源頻率成反比，分布電容電流隨頻率升高而增加，所以泄漏電流隨電源頻率升高而增加。例如：用可控硅供電，其諧波分量使泄漏電流增大。

若考核的是一個(gè)電路或一個(gè)系統(tǒng)的絕緣性能，則這個(gè)電流除了包括所有通過絕緣物質(zhì)而流入大地（或電路外可導(dǎo)電部分）的電流外，還應(yīng)包括通過電路或系統(tǒng)中的電容性器件（分布電容可視為電容性器件）而流入大地的電流。較長(zhǎng)布線會(huì)形成較大的分布容量，增大泄漏電流，這一點(diǎn)在不接地的系統(tǒng)中應(yīng)特別引起注意

ZC2675B泄漏電流測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)

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